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奇米影视盒v1.1 俄罗斯要造EUV光刻机,道路图王人来了

发布日期:2024-12-22 06:56    点击次数:81


奇米影视盒v1.1 俄罗斯要造EUV光刻机,道路图王人来了

本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)编译自CNews奇米影视盒v1.1

俄罗斯将建造的开荒波长不是13.5nm,而是11.2nm。

据CNews报谈,俄罗斯公布了开发本身的光刻机的道路图,旨在制造比 ASML 系统资本更低、更复杂的开荒。

这些机器将使用波长为 11.2 nm的激光器,而不是 ASML 使用的措施 13.5 nm。该波长与现存的 EUV 基础身手不兼容,需要俄罗斯开发本身的光刻生态系统,这可能需要数年以至十年或更万古候。

波长为 11.2nm 的EUV器具

俄罗斯还是制定了制造光刻机的“道路图”,该光刻机将比荷兰 ASML 的开荒更低廉、更容易制造。但与此同期,俄罗斯的身手也通常灵验。这是由俄罗斯科学院微结构物理研究所(IPM RAS)职工Nikolai Chkhalo编写的“高性能X射线光刻发展新见识”得出的论断。CNews 的。文献指出,道路图的实即将使俄罗斯强横在合理的时候内创建本身的当代纳米光刻安设。

IPM RAS建议将光刻机的使命波长从13.5纳米减少到11.2纳米。展望这种方式将裁汰真空元件和系统以及通盘光刻机的制形资本以及操作资本。

翻新亮点

为了打造不失容于ASML的俄罗斯国产光刻机,IPM RAS提供了多项翻新。举例,波长为11.2nm。这将导致安设的分离率擢升 20%(分离率界说为光刻胶层中再现的最小元素)。

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“这将减少合座尺寸,权贵简化镜子的坐褥,并权贵裁汰镜片的坐褥资本,”Chkhalo 指出。在俄罗斯的安设中,筹画用氙气源取代锡激光等离子体源。这应该不错将源材料扩散产生的产物对光学元件的耻辱减少几个数目级。不菲的网罗器和薄膜(用于保护掩模的解放吊挂的多层薄膜)以及掩模的使用寿命将权贵延迟。

波长过渡到 11.2 nm 可能开启使用硅基抗蚀剂,非常是有机硅抗蚀剂的可能性。从见识上不错看出,有机光刻胶在 EUV 光刻中的高图案移动参数下具有最大的贤达度。Chkhalo 强调说:“咱们不错预期,加多光刻胶中硅的比例将导致光刻胶在 11.2 nm 波长下的遵守权贵擢升,与 13.5 nm 波长比拟。”

俄罗斯光刻机与ASML对比

该表将 ASML 制造的 TWINSCAN NXE:3600D 光刻机的主要参数与IPM RAS正在开发的光刻机的预期参数进行了比较。

从表中不错看出,色尼姑亚洲平均激光功率为 3.6 kW,波长 11.2 nm 下的预期性能将比 ASML 光刻机低约 2.7 倍。

“关于家具市集小于前五名公司的工场来说,这个值还是实足了,有计划到芯片上的统共层中,X射线光刻仅用于几个谬误层的形成,”该文献指出。“因此,这一见识的得胜实即将完了在不烽火分离率的情况下擢升用户 X 射线光刻的可及性的主义。”

使命分三个阶段

Chkhalo 指出,与各人 EUV 光刻机发展的告诫相类比, 所建议的见识的实行触及三个阶段。

第一阶段包括具有执行想象(R &D)身分的研究使命(R&D)。筹画创建谬误的X射线光刻本领,找出所关联键本领中的主要问题,并建议更始本领处分决策的建议。

此外,还筹画缔造合营研究比肩出处分第二阶段问题所需的开荒清单。创建光刻执行样本,以测试真实本领经过中的统共元素,开发抗蚀剂并开发使用 X 射线光刻形成纳米结构的本领。

第二阶段的主义之一是创建带有六镜投影镜头、多千瓦激光系统和200/300 毫米印版扫描系统的高性能光刻原型。非常是,筹画将X射线光刻本领融入国产先进芯片高性能坐褥线,打造光刻基础元件和系统坐褥合营链。

这一阶段的恶果将是每小时坐褥跳动 60 200 毫米印版的原型平版光刻机。还筹画将X射线光刻本领融入国内先进工场的芯片坐褥本领链中,以最低拓扑措施坐褥谬误层,并制定本领程序和本领决策。用于工业诈骗的原型光刻的可行性研究。

第三阶段触及制造符合工场使用的平版光刻机,直径为300毫米的印版的坐褥率跳动每小时60张,并在俄罗斯组织大界限坐褥平版光刻机。

文献中莫得指定各个阶段的时候安排。

RAS诈骗物理研究所于 2022 年 10 月运行进行光刻使命的情况。展望该安设将强横坐褥使用 7 nm 拓扑的芯片。该开荒将于2028年运行全面运行。RAS展望俄罗斯光刻机的遵守将是ASML制造的开荒的1.5-2倍。

复刻ASML不会得胜

Chkhalo 敬佩,尝试复制 ASML 光刻不会得胜。他继续说谈,这一论断适用于构建 13.5 nm 光刻机所濒临的本领和经济问题。

“总的来说,ASML 正在开发的见识导致了雄伟的开荒资本,”Chkhalo 指出。“凭证多方音尘,当今坐褥的NXE:3400C和NXE:3600D系列光刻机的价钱跳动3亿欧元,而分离率为8纳米的新一代EXE:5000更是数倍。”

关联词,文献指出,台积电、三星和英特尔的高层不停东谈主员阐述,尽管存在这些资本,EUV 光刻本领仍然具有资本效益。“然而,咱们必须有计划到这种遵守是由于这些公司(骨子上是把持者)占据了雄伟的芯片市集,”

要是市集萎缩,这种遵守就会急剧下跌。障碍印证这一论断的事实是,除了这些巨头,以及各人排行前五的芯片制造商好意思国好意思光科技和韩国SK海力士除外,莫得其他东谈主购买过这么的开荒和开荒。”

*声明:本文系原作家创作。著作内容系其个东谈主不雅点,本身转载仅为共享与磋磨,不代表本身讴颂或招供,如有异议,请研究后台。



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